在圖1b所示的系統(tǒng)中，發(fā)射器線圈(tx)106被電路102(電路102可以是集成電路)激勵，以生成被示出為emf場108的可變電磁場(emf)。磁場108與接收器線圈(rx)104耦合。如圖1b所示，如果將導電金屬目標124放置在接收器線圈104的上方，則會在金屬目標124中生成渦電流。該渦電流生成新的電磁場，該電磁場理想情況下與場108相等并相反，從而抵消了在金屬目標124正下方的接收器線圈104中的場。接收器線圈(rx)104捕獲由發(fā)射線圈106生成的可變emf場108和由金屬目標124感應的場，得到在接收器線圈104的端子處生成的正弦電壓。在沒有金屬目標124的情況下，在rx線圈104(在圖1b中被標記為rxcos110和rxsin112)的端子處將沒有電壓。當金屬目標124相對于rx線圈104被放置在特定位置時，在被金屬目標124覆蓋的區(qū)域上的合成電磁場理想地為零，因此在rx線圈104的端子處的電壓將具有不同的特性，這取決于金屬目標124相對于接收線圈104的位置。rx線圈104以以下方式被設計：隨著在整個接收器線圈104上掃描金屬目標124，福建防爆傳感器線圈，在一個rx線圈(rxsin112)的端子處產(chǎn)生正弦電壓，在另一個rx線圈(rxcos110)的端子處產(chǎn)生余弦電壓，福建防爆傳感器線圈，福建防爆傳感器線圈。目標相對于rx線圈104的位置調(diào)制在rx線圈104的端子處的電壓的幅度和相位。傳感器線圈哪家專業(yè)，無錫東英電子有限公司值得信賴，有需求的不要錯過哦！福建防爆傳感器線圈
但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個小時來完成。在一些實施例中使用的有效簡化是用一維導線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和接收器線圈的導電跡線。在與一維導線模型偏離嚴重的情況下，考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線，但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對于上述基準矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導線1020生成的場。如果在兩個結(jié)構(gòu)中流動的電流相同，則由導線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而，圖10c示出在基準跡線1022周圍生成的場，基準跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場看起來也與圖10b中的由導線1020所生成的場相同。區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。貴州空氣傳感器線圈傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，還等什么，快來call我司吧！
如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。
圖10f示出正在算法704中進行仿真的位置定位系統(tǒng)設計中的接收器線圈1028和接收器線圈1026上方的金屬目標1204的定位。為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設計800的示例，其中接收器線圈1028和接收器線圈1026分別與接收器線圈804和接收器線圈806的跡線的一維近似相對應。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通�？梢员唤楸〗饘倨�。通常，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進行測量。如上文關于導線跡線所討論的，當導體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標1024的細導體建模為感應渦電流與該表面相切的表面。如果不是這種情況。江蘇制作傳感器線圈的地方；
仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通�？梢员唤楸〗饘倨�。通常，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進行測量。如上文關于導線跡線所討論的，當導體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標1024的細導體建模為感應渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈哪家服務好，無錫東英電子有限公司為您服務！還等什么，快來call我司吧！湖南增強傳感器線圈
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并且在線圈106內(nèi)沿著指出頁面的方向且在線圈108的外部沿著進入頁面的方向，其中電流方向如圖1a所示。如圖1b所示，接收線圈104位于線圈106內(nèi)部。發(fā)射線圈106可以以可以產(chǎn)生用于在接收器線圈104中感應電壓的電磁場108的任何頻率被驅(qū)動。通常，可以存在任意數(shù)量的接收二器線圈，然而，為了便于時論，下文時論具有兩個接收器線圈的系統(tǒng)。圖1b示出發(fā)射線圈(tx)106內(nèi)的傳感器接收線圈(rx)104的布置。如圖1b所示，傳感器接收線圈104包括正弦波定向線圈rxsin112和余弦定向信號線圈rxcos110。正弦波定向線圈rxsin112包括正弦環(huán)路114、正弦環(huán)路116和正弦環(huán)路118，其中，線圈112沿同相或反相方向(此處描繪為順時針或逆時針圖示)纏繞，以由于電磁場108的存在而在環(huán)路中產(chǎn)生相反符號的電壓。如圖所示，正弦波定向線圈112的布線提供環(huán)路114和環(huán)路118的順時針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標稱正電壓、以及環(huán)路116的逆時針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標稱負電壓。類似地，余弦定向線圈110可以包括具有順時針定向的環(huán)路120和具有逆時針定向的第二環(huán)路122。圖1b示出由箭頭指示的可能的電動勢參考方向，該方向與由如圖1a所示的發(fā)射器線圈106產(chǎn)生的磁場一致。如本領域技術人員將認識到的，可以以其他方式解釋所述定向。福建防爆傳感器線圈
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