電渦流測(cè)量原理是一種非接觸式測(cè)量原理。這種類型的傳感器特別適合測(cè)量快速的位移變化,且無需在被測(cè)物體上施加外力。而非接觸測(cè)量對(duì)于被測(cè)表面不允許接觸的情況,或者需要傳感器有超長壽命的應(yīng)用領(lǐng)用意義重大。嚴(yán)格來講,電渦流測(cè)量原理應(yīng)該屬于一種電感式測(cè)量原理。電渦流效應(yīng)源自振蕩電路的能量。而電渦流需要在可導(dǎo)電的材料內(nèi)才可以形成。給傳感器探頭內(nèi)線圈提供一個(gè)交變電流,可以在傳感器線圈周圍形成一個(gè)磁場(chǎng)。如果將一個(gè)導(dǎo)體放入這個(gè)磁場(chǎng),根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律,導(dǎo)體內(nèi)會(huì)激發(fā)出電渦流。根據(jù)楞茲定律,電渦流的磁場(chǎng)方向與線圈磁場(chǎng)正好相反,而這將改變探頭內(nèi)線圈的阻抗值。而這個(gè)阻抗值的變化與線圈到被測(cè)物體之間的距離直接相關(guān),安徽傳感器線圈效果。傳感器探頭連接到控制器后,控制器可以從傳感器探頭內(nèi)獲得電壓值的變化量,并以此為依據(jù),計(jì)算出對(duì)應(yīng)的距離值。電渦流測(cè)量原理可以運(yùn)用于所有導(dǎo)電材料。由于電渦流可以穿透絕緣體,安徽傳感器線圈效果,即使表面覆蓋有絕緣體的金屬材料,也可以作為電渦流傳感器的被測(cè)物體。獨(dú)特的圈式繞組設(shè)計(jì)在實(shí)現(xiàn)傳感器外形緊湊的同時(shí),可以滿足其運(yùn)轉(zhuǎn)于高溫測(cè)量環(huán)境的要求。所有德國米銥的電渦流傳感器都可以承受有灰塵,安徽傳感器線圈效果,潮濕,油污和壓力的測(cè)量環(huán)境。盡管如此。傳感器線圈的注意事項(xiàng)是什么?安徽傳感器線圈效果
在實(shí)際工作中,一般不進(jìn)行這種檢測(cè),進(jìn)行線圈的通斷檢查和Q值的大小判斷。[1]可先利用萬用表電阻檔測(cè)量線圈的直流電阻,再與原確定的阻值或標(biāo)稱阻值相比較,如果所測(cè)阻值比原確定阻值或標(biāo)稱阻值增大許多,甚至指針不動(dòng)(阻值趨向無窮大X)可判斷線圈斷線;若所測(cè)阻值極小,則判定是嚴(yán)重短路或者局部短路是很難比較出來。這兩種情況出現(xiàn),可以判定此線圈是壞的,不能用。如果檢測(cè)電阻與原確定的或標(biāo)稱阻值相差不大,可判定此線圈是好的。此種情況,我們就可以根據(jù)以下幾種情況,去判斷線圈的質(zhì)量即Q值的大小。線圈的電感量相同時(shí),其直流電阻越小,Q值越高;所用導(dǎo)線的直徑越大,其Q值越大;若采用多股線繞制時(shí),導(dǎo)線的股數(shù)越多,Q值越高;線圈骨架(或鐵芯)所用材料的損耗越小,其Q值越高。例如,高硅硅鋼片做鐵芯時(shí),其Q值較用普通硅鋼片做鐵芯時(shí)高;線圈分布電容和漏磁越小,其Q值越高。例如,蜂房式繞法的線圈,其Q值較平繞時(shí)為高,比亂繞時(shí)也高;線圈無屏蔽罩,安裝位置周圍無金屬構(gòu)件時(shí),其Q值較高,相反,則Q值較低。屏蔽罩或金屬構(gòu)件離線圈越近,其Q值降低越嚴(yán)重;對(duì)有磁芯的的位置要適當(dāng)安排合理;天線線圈與振蕩線圈應(yīng)相互垂直,這就避免了相互耦合的影響。。四川增強(qiáng)傳感器線圈專業(yè)生產(chǎn)傳感器線圈的廠家;
但可以提高速度。例如,如果每次仿真需要10秒鐘來完成,則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而,如果每次仿真需要10分鐘完成,則同一優(yōu)化可能需要16個(gè)小時(shí)來完成。在一些實(shí)施例中使用的有效簡(jiǎn)化是用一維導(dǎo)線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和接收器線圈的導(dǎo)電跡線。在與一維導(dǎo)線模型偏離嚴(yán)重的情況下,考慮一個(gè)具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導(dǎo)電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線,但銅更為典型。對(duì)于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分,矩形跡線中流動(dòng)的電流的電流密度可以是非常均勻的。對(duì)于銅,在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此,對(duì)于上述基準(zhǔn)矩形跡線,跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導(dǎo)線1020生成的場(chǎng)。如果在兩個(gè)結(jié)構(gòu)中流動(dòng)的電流相同,則由導(dǎo)線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場(chǎng)沒有差異。然而,圖10c示出在基準(zhǔn)跡線1022周圍生成的場(chǎng),基準(zhǔn)跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示,即使在小于1mm的短距離處,該場(chǎng)看起來也與圖10b中的由導(dǎo)線1020所生成的場(chǎng)相同。區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場(chǎng)中。
在余弦定向線圈110中,環(huán)路120的一半被覆蓋,導(dǎo)致va=-1/2,并且環(huán)路122的一半被覆蓋,導(dǎo)致vb=1/2。因此,由va+vb給出的vcos為0。類似地,圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此,正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋,而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va=-1、vb=0、vc=1/2、vd=-1/2、以及ve=0。結(jié)果,vsin=0且vcos=-1。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示,可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示,通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描,將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定,如圖2e所示。傳感器線圈哪家專業(yè),無錫東英電子有限公司值得信賴,期待您的來電!
仿真可以輸入pcb跡線的幾何形狀、金屬目標(biāo)的幾何形狀、氣隙、金屬目標(biāo)在由跡線形成的線圈上的平移/旋轉(zhuǎn)、以及另外的固定導(dǎo)體,其例如可用于仿真pct或傳感器附近的其他導(dǎo)體的接地層。仿真可以輸出線圈上方的金屬目標(biāo)的一系列位置處來自接收器線圈的仿真電壓。在一些實(shí)施例中,在本申請(qǐng)中也可以使用有限元方法(fem)或類似方法。然而,在一些情況下,執(zhí)行這些仿真可能需要大量的計(jì)算時(shí)間。可以預(yù)期,相對(duì)于上述bim方法,每個(gè)傳感器目標(biāo)位置的計(jì)算可能使用兩個(gè)或更多個(gè)數(shù)量級(jí)的計(jì)算時(shí)間。此外,可能需要針對(duì)每個(gè)目標(biāo)位置從頭開始重建計(jì)算域的網(wǎng)格。而且,由于長而細(xì)的導(dǎo)體需要大量的網(wǎng)格元素來獲得精確的解,因此這些技術(shù)的準(zhǔn)確性可能受限。這些計(jì)算也可能受到存儲(chǔ)器和計(jì)算時(shí)間資源的限制。圖10a示出算法700的仿真步驟704的示例。實(shí)際上,如圖7a的示例中所示的算法700基本上補(bǔ)償了上述的非理想性,并因此產(chǎn)生與提供精確的位置定位系統(tǒng)的問題的物理學(xué)相容的佳的可能的解。為此,開發(fā)了位置定位系統(tǒng)的一種真實(shí)高效的數(shù)值模型。如下面更詳細(xì)地討論的,在一些實(shí)施例中,形成發(fā)射線圈、接收器線圈和連接線的跡線用一維金屬導(dǎo)線表示。一些實(shí)施例可以使用更精細(xì)的仿真算法。傳感器線圈推薦,無錫東英電子有限公司值得信賴,還等什么,快來call我司吧!空調(diào)傳感器線圈量大從優(yōu)
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