總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。①封裝②類(lèi)型（NMOS、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開(kāi)狀態(tài)下漏極和源極所能承受的比較大的電壓）④飽和電流Id⑤導(dǎo)通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th)9.從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳無(wú)論是NMOS還是PMOS按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S?；蛘哌@么記：?jiǎn)为?dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。管腳編號(hào)從G腳開(kāi)始，逆時(shí)針123三極管的管腳編號(hào)同樣從B腳開(kāi)始，逆時(shí)針12310.用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S,黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值，說(shuō)明是N溝道，若情況相反是P溝道。放大倍數(shù)大、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能。浙江加工MOS管

    MOS管，只要是電子相關(guān)專(zhuān)業(yè)的，只要是硬件工程師，都會(huì)學(xué)過(guò)：書(shū)上說(shuō)，MOS管的主要作用是放大。不過(guò)實(shí)際在智能硬件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中，幾乎沒(méi)有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來(lái)做開(kāi)關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的?？梢院敛豢鋸埖闹v，只要不是做IC設(shè)計(jì)的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來(lái)的MOS放大電路，性能不可能有專(zhuān)業(yè)芯片公司做的好的。本文主要講MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法。至于MOS管G、S、D三個(gè)端口、N-MOS、P-MOS這樣的基礎(chǔ)知識(shí)，我們就不贅述了，需要的讀者請(qǐng)自行翻書(shū)查資料吧。用作開(kāi)關(guān)的時(shí)候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導(dǎo)通。VGS沒(méi)有電壓差，MOS管就關(guān)閉。MOS管常見(jiàn)的主要用途有以下幾種負(fù)極開(kāi)關(guān)（N-MOS）：設(shè)備控制LED燈控制電路馬達(dá)控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用于設(shè)備通斷的控制。例如上圖的LED燈控制和電動(dòng)馬達(dá)的控制。GPIO口拉高，MOS管就導(dǎo)通，LED燈亮、馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)。GPIO拉低，MOS管就關(guān)閉，LED燈滅，馬達(dá)就停止轉(zhuǎn)動(dòng)。在普通的低電壓數(shù)字電路上，這種控制方式對(duì)MOS管本身沒(méi)有什么特定高要求，隨便抓一個(gè)N-MOS也可以用。NPN的三極管也可以用。正極開(kāi)關(guān)。浙江加工MOS管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。

    MOSFET）功率器件領(lǐng)域的優(yōu)先，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，止步！高壓mos管產(chǎn)品深圳KIA可易亞電子，專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)得基礎(chǔ)，在2007年KIA在韓國(guó)浦項(xiàng)工科大學(xué)內(nèi)擁有了專(zhuān)業(yè)合作設(shè)計(jì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)得8英寸VD-MOS晶圓廠。我司KIA率先成功研新型MOSFET系列產(chǎn)品，可以提供樣品，以及有多種封裝SOT-89TO-92、262、263、251、220F等。高壓mos管產(chǎn)品特點(diǎn)（1）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大（3）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS來(lái)控制ID（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲。

    JFET)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。(2)、絕緣柵型：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無(wú)論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。4、按溝道分類(lèi)可分為N溝道和P溝道管（在符號(hào)圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。三、MOS管的區(qū)別低壓mos管與高壓mos管的區(qū)別：高壓mos管電壓在400V~1000V左右，低壓mos管在1~40V左右。以上描述供參考，希望可以幫助到您聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開(kāi)的文章或圖片，未能及時(shí)和您確認(rèn)，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失，請(qǐng)電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當(dāng)處理措施。mos管的輸入端加有控制電極以使mos管的導(dǎo)通狀態(tài)受控制而穩(wěn)定下來(lái)。

    MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越快，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。上圖是MOS管工作原理圖導(dǎo)通時(shí)的波形?？梢钥闯觯瑢?dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。MOS管發(fā)熱原因分析一款路由產(chǎn)品的硬件開(kāi)發(fā)中，其中一項(xiàng)是客戶需要非標(biāo)準(zhǔn)POE供電，可輸出的POE供電電壓為12/24/30/48V切換，大輸出功率設(shè)計(jì)為24W，電路采用反激式電源方案（電源芯片MP3910，芯片廠商提供方案），在調(diào)試該部分電路時(shí)出現(xiàn)MOS管（NMOS，SUD50N06）發(fā)熱嚴(yán)重，輸出電壓非帶載時(shí)正常，帶載時(shí)（開(kāi)始帶載50%）,MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，輸出電壓被拉低，不論是輸出哪一路電壓，輸出只有9V左右，TLV431的穩(wěn)壓值只有1V左右。mos管也稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。浙江加工MOS管

電流極小或?yàn)?，所以稱(chēng)為"零電阻"，即對(duì)信號(hào)幾乎不產(chǎn)生任何影響。浙江加工MOS管

    P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。3、MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。4、為了防止MOS管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等。當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接MOS管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用MOS管時(shí)必須注意。5、在安裝MOS管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。6、使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，大功率才能達(dá)到30W。7、多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞。浙江加工MOS管

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