正常選擇的型號(hào)Vref=），開(kāi)始一直覺(jué)得問(wèn)題出在TLV431上，后來(lái)?yè)Q了板子竟發(fā)現(xiàn)可以正常穩(wěn)壓（應(yīng)該是上一個(gè)板子變壓器和MOS管出現(xiàn)問(wèn)題，但沒(méi)回去驗(yàn)證），但是mos管很燙，帶載不到十秒鐘就會(huì)冒煙，后來(lái)經(jīng)過(guò)與芯片方案的FAE溝通才發(fā)現(xiàn)，MSP3910的驅(qū)動(dòng)MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯(cuò)物料，mos管工作原理圖是，但實(shí)際用的是，更換電阻后可輸出正常電壓，MOS管也不會(huì)很燙。下面是解決問(wèn)題思路：一、用示波器觀察所用MOS管的G極波形，如圖一所示，上升時(shí)間接近，下降時(shí)間接近<160ns（實(shí)測(cè)50ns），再看如圖二所示的手冊(cè)中對(duì)MOS驅(qū)動(dòng)上升下降沿要求，上升時(shí)間要求<35ns，下降時(shí)間<80ns，可得結(jié)論：上升時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致MOS管工作為線(xiàn)性狀態(tài)，非開(kāi)關(guān)狀態(tài)（參看總結(jié)一），MOS管開(kāi)通過(guò)程時(shí)間太長(zhǎng)直接導(dǎo)致了MOS管的發(fā)熱嚴(yán)重。二、解決：更換驅(qū)動(dòng)限流電阻（圖二中Rg），由于當(dāng)時(shí)手里當(dāng)時(shí)沒(méi)有，更換為22歐的電阻后，G極波形如圖三所示，Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱?？偨Y(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)1、電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)mos管）。遼寧哪里有MOS管代理商

    或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第1的是消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類(lèi)適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類(lèi)適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車(chē)電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類(lèi)電子了。下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過(guò)大，損耗過(guò)高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。廣東常見(jiàn)MOS管代理商MOS管的Source和Drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。

    此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見(jiàn)圖b），從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖給出了P溝道的MOS管。MOS管工作原理圖工作過(guò)程，其工作原理類(lèi)似這里不再重復(fù)。下面簡(jiǎn)述一下用C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS管）組成的應(yīng)用電路的工作過(guò)程（見(jiàn)圖）。電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過(guò)這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒(méi)有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場(chǎng)效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場(chǎng)效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路。

    首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱(chēng)為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS電容的電特性能通過(guò)把backgate接地，gate接不同的電壓來(lái)說(shuō)明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中，這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來(lái)，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場(chǎng)太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對(duì)器件整體的特性影響也非常小。當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過(guò)GATEDIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來(lái)。同時(shí)，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過(guò)剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱(chēng)為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來(lái)越多的電子在表面積累。mos管也稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。

    柵極電壓還沒(méi)有到達(dá)VGS（th），導(dǎo)電溝道沒(méi)有形成，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。2.[t1-t2]區(qū)間,GS間電壓到達(dá)Vgs（th），DS間導(dǎo)電溝道開(kāi)始形成，MOSFET開(kāi)啟，DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數(shù)增長(zhǎng)到Va。3.[t2-t3]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng)，Cgd電容增加,柵極電流持續(xù)流過(guò)，由于Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對(duì)Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態(tài)，Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。4.[t3-t4]區(qū)間,至t3時(shí)刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓,Millier效應(yīng)影響變小，Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電,Cgs電容的電壓上升,至t4時(shí)刻為止.此時(shí)Cgs電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達(dá)小，MOSFET完全開(kāi)啟。OS管是指場(chǎng)效應(yīng)管。它采用絕緣柵結(jié)構(gòu)的晶體三極管，輸入阻抗高，輸出呈電阻態(tài)。江西定制MOS管代理商

mos管是個(gè)開(kāi)關(guān)，柵極（G）是控制端，它控制著源極（S）和漏極（D）之間是否能導(dǎo)通，即是否可以通過(guò)電流。遼寧哪里有MOS管代理商

    這個(gè)電路提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)MOS管。2，用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。3，gate電壓的峰值限制4，輸入和輸出的電流限制5，通過(guò)使用合適的電阻，可以達(dá)到很低的功耗。6，PWM信號(hào)反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過(guò)前置一個(gè)反相器來(lái)解決。在設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備和無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品時(shí)，提高產(chǎn)品性能、延長(zhǎng)電池工作時(shí)間是設(shè)計(jì)人員需要面對(duì)的兩個(gè)問(wèn)題。DC-DC轉(zhuǎn)換器具有效率高、輸出電流大、靜態(tài)電流小等優(yōu)點(diǎn)，非常適用于為便攜式設(shè)備供電。DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展主要趨勢(shì)：(1)高頻化技術(shù)：隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，開(kāi)關(guān)變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升，動(dòng)態(tài)響應(yīng)得到改善。小功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率將上升到兆赫級(jí)。(2)低輸出電壓技術(shù)：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作電壓越來(lái)越低，這就要求未來(lái)的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的要求。這些技術(shù)的發(fā)展對(duì)電源芯片電路的設(shè)計(jì)提出了更高的要求。首先，隨著開(kāi)關(guān)頻率的不斷提高，對(duì)于開(kāi)關(guān)元件的性能提出了很高的要求，同時(shí)必須具有相應(yīng)的開(kāi)關(guān)元件驅(qū)動(dòng)電路以保證開(kāi)關(guān)元件在高達(dá)兆赫級(jí)的開(kāi)關(guān)頻率下正常工作。其次。遼寧哪里有MOS管代理商

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