一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，英文名metaloxidesemiconductor，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏極D和源極S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+/P+區(qū)，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N/P溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。三、MOS管的特性。MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡單、輻射強(qiáng)，因而通常被用于放大電路或開關(guān)電路。四、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則:圖一是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。在實(shí)際MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號的規(guī)則中；表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。圖三是P溝道MOS管的符號。放大倍數(shù)大、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

    流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個是drain另一個是source。Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管。制造非對稱晶體管有很多理由，但所有的終結(jié)果都是一樣的。一個引線端被優(yōu)化作為drain，另一個被優(yōu)化作為source。如果drain和source對調(diào)，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channelMOS管，或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。一個工程師可能說，"PMOSVt從"，實(shí)際上PMOS的Vt是從。安徽MOS管現(xiàn)貨mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱mos管）。

    控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強(qiáng)弱，就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點(diǎn)，所以也稱之為場效應(yīng)管。六：MOS的優(yōu)勢：1、場效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應(yīng)圖。2、場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少。3、場效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流；而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。4、場效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。5、場效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大。

    ，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。(多子)參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷β蔒OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET，提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。、輸出特性對于共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0。當(dāng)VGSMOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。其優(yōu)點(diǎn)是效率高（可達(dá)80%）、抗輻射能力強(qiáng)以及耐高溫性能好。

    隨著社會的進(jìn)步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅**”，必須來科普一下這方面的知識。MOS即MOSFET的簡寫，全稱是金屬氧化物場效應(yīng)晶體管。就是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。MOS管的構(gòu)造、原理、特性、符號規(guī)則和封裝種類等，大致如下。1、MOS管的構(gòu)造：MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區(qū)，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強(qiáng)型MOS管。圖1-1所示（a）、（b）分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和符號。2、MOS管的工作原理：從圖1-2-（a）可以看出，增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個背靠背的PN結(jié)。P-MOS管的通斷控制，其實(shí)就是控制其Vgs的電壓，從而達(dá)到控制電源的目的。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

MOS，是MOSFET的縮寫。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

    CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài)。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié)、集電結(jié)都是反偏置)時,其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài)。三極管開關(guān)電路的特點(diǎn)是開關(guān)速度極快,遠(yuǎn)遠(yuǎn)比機(jī)械開關(guān)快;沒有機(jī)械接點(diǎn),不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對控制信號的要求低;導(dǎo)通時開關(guān)的電壓降比機(jī)械開關(guān)大,關(guān)斷時開關(guān)的漏電流比機(jī)械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓、強(qiáng)電流的控制。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài)。開關(guān)三極管處于截止?fàn)顟B(tài)的特征是發(fā)射結(jié)，集電結(jié)均處于反向偏置。此時三極管能夠承受額電壓越高，其被擊穿的可能性越小，工作越可靠，所以在一些特殊電路中必須選用高反壓開關(guān)三極管，例如彩色電視機(jī)的行輸出電路，一般高反壓三極管的耐壓都在1500伏以上。2020-08-30有關(guān)三極管的開關(guān)作用三極管都有開關(guān)作用。普通三極管當(dāng)B極沒有電流時會截止的，但是可控硅（也是一種三極管）卻是只管導(dǎo)通不能控制截止，就是說B極給電流導(dǎo)通之后不能控制EC截止。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

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