而用開啟電壓VT表征管子的特性。N溝道耗盡型MOS管的基本結構（1）結構：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。（2）區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導電溝道產(chǎn)生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導電溝道。（3）原因：制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD。如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。當vGS負向增加到某一數(shù)值時，導電溝道消失，iD趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場效應管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能在vGS0，VP（4）電流方程：在飽和區(qū)內(nèi)，耗盡型MOS管的電流方程與結型場效應管的電流方程相同，即：各種場效應管特性比較P溝MOS晶體管金屬氧化物半導體場效應。OS管是指場效應管。它采用絕緣柵結構的晶體三極管，輸入阻抗高，輸出呈電阻態(tài)。進口MOS管銷售廠家

    MOS管，只要是電子相關專業(yè)的，只要是硬件工程師，都會學過：書上說，MOS管的主要作用是放大。不過實際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中，幾乎沒有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來做開關的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的。可以毫不夸張的講，只要不是做IC設計的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路，性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。本文主要講MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法。至于MOS管G、S、D三個端口、N-MOS、P-MOS這樣的基礎知識，我們就不贅述了，需要的讀者請自行翻書查資料吧。用作開關的時候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導通。VGS沒有電壓差，MOS管就關閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負極開關（N-MOS）：設備控制LED燈控制電路馬達控制電路N-MOS廣泛應用于設備通斷的控制。例如上圖的LED燈控制和電動馬達的控制。GPIO口拉高，MOS管就導通，LED燈亮、馬達轉動。GPIO拉低，MOS管就關閉，LED燈滅，馬達就停止轉動。在普通的低電壓數(shù)字電路上，這種控制方式對MOS管本身沒有什么特定高要求，隨便抓一個N-MOS也可以用。NPN的三極管也可以用。正極開關。進口MOS管銷售廠家其優(yōu)點是效率高（可達80%）、抗輻射能力強以及耐高溫性能好。

    我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）。從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關斷，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。3：合理的熱設計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，大電壓等，大電流等，也有很多人考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。1、MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。

    MOS管工作原理圖詳解MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅(qū)動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管工作原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負載(如馬達)，這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。MOS管工作原理圖電源開關電路詳解這是該裝置的中心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS的工作原理圖。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型MOSMOS管，其內(nèi)部結構見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出。它是利用絕緣柵極下的p型區(qū)與源漏之間的擴散電流和電場在垂直方向上的不同導電特性來工作的。

    如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的忌諱的錯誤；（本次產(chǎn)品測試問題點雖然不是出在電路設計上，但BOM做錯比設計錯誤往往更難分析）2、頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了；3、沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片；4、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大?？偨Y二：MOS管工作狀態(tài)分析MOS管工作狀態(tài)有四種，開通過程、導通狀態(tài)、關斷過程，截止狀態(tài)；MOS管主要損耗：開關損耗，導通損耗，截止損耗，還有雪崩能量損耗，開關損耗往往大于后者；MOS管主要損壞原因：過流（持續(xù)大電流或瞬間超大電流），過壓（D-S，G-S被擊穿），靜電（個人認為可屬于過壓）；總結三：MOS管工作過程分析MOS管工作過程非常復雜，里面變量很多，總之開關慢不容易導致米勒震蕩（介紹米勒電容，米勒效應等，很詳細），但開關損耗會加大。mos管具有單向?qū)щ娦浴?a href="http://www.foodservicesmallwares.com/zdcbsx/2a1k9vd8q5/17443377.html" target="_blank">進口MOS管銷售廠家

開關損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進入夾斷區(qū)的過程中，也就是MOS處于恒流區(qū)時所產(chǎn)生的損耗。進口MOS管銷售廠家

    而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時，其特性差異很大，b值將減小很多。6、場效應管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。7、場效應管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關電路，但是場效應管制造工藝簡單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的***特性，在各種電路及應用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中，已經(jīng)廣的采用場效應管。8、輸入阻抗高，驅(qū)動功率?。河捎跂旁粗g是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動，所以驅(qū)動功率極?。`敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的（Vb×Ib）。9、開關速度快:MOSFET的開關速度和輸入的容性特性的有很大關系，由于輸入容性特性的存在，使開關的速度變慢，但是在作為開關運用時，可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻，加快開關速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時間）。MOSFET只靠多子導電。進口MOS管銷售廠家

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