除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點劃線波形）。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對于阻性負載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%），這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間（對于阻性負載相當(dāng)于陽極電壓由90%降到10%）稱為上升時間t，開通時間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān)。[1]關(guān)斷過程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，由于外電路電感的存在，其陽極電流在衰減時存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復(fù)電流，經(jīng)過**大值I后，再反方向衰減。同時。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦晶閘管在工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣，隨著行業(yè)的應(yīng)用范圍增大。

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷，像一個二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止。當(dāng)晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止狀態(tài)，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL，當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高，BG1的基極電位進一步下降，經(jīng)過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止狀態(tài)進入道通狀態(tài)，這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止，另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少，當(dāng)減少到某一個值時由于電路的正反饋作用，電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止狀態(tài)，我們稱這個電流為維持電流。

三相晶閘管觸發(fā)板是以高級工業(yè)級單片機為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應(yīng)適應(yīng)不同性質(zhì)負載電壓5V～380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術(shù)參數(shù)3三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應(yīng)不同性質(zhì)負載，控制精度高，動態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無溫度漂移變化，運行穩(wěn)定、工作可靠。強抗干擾能力，采用獨特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運行。通用性強，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)負載。手動、自動;穩(wěn)流、穩(wěn)壓;電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數(shù)控板直接觸發(fā)六個10000A以內(nèi)的晶閘管元件的設(shè)備，外接脈沖功放板。構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管。

若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護電路等，可選用普通單向晶閘管。若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動機變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等，可選用門極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG晶閘管。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)晶閘管。若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路，可選用光控晶閘管。2．選擇晶閘管的主要參數(shù)：晶閘管的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。所選晶閘管應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的**大工作電壓和**大工作電流1．5～2倍。晶閘管的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各項要求，不能偏高或偏低，否則會影響晶閘管的正常工作。單向檢測/晶閘管編輯(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結(jié)。晶閘管可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管多種。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦

晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關(guān)斷。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；（2）可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦