2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大，都會(huì)產(chǎn)生比較大的過電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對(duì)形成過電壓的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；抑制過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率，因此常用電容作為吸收元件，為防止振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間。吸收電路**好選用無(wú)感電容，接線應(yīng)盡量短。。本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化。福建貿(mào)易模塊市價(jià)

    IOTIOT+關(guān)注IoT是InternetofThings的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（InternetofThings）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。海思海思+關(guān)注UHDUHD+關(guān)注UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上**為普遍，目前已有不少?gòu)S商推出了UHD超高清電視。74ls7474ls74+關(guān)注74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。STC12C5A60S2STC12C5A60S2+關(guān)注在眾多的51系列單片機(jī)中，要算國(guó)內(nèi)STC公司的1T增強(qiáng)系列更具有競(jìng)爭(zhēng)力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60KFLASHROM，這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。ProtuesProtues+關(guān)注Proteus軟件是英國(guó)LabCenterElectronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不*具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及**器件。海南模塊排行榜從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?/p>

    下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；**后脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。**后根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是。

    這要由具體的應(yīng)用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定。如果將25腳G通過電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅(qū)動(dòng)波形上升沿較大,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進(jìn)行電流放大,可有效地減小IGBT驅(qū)動(dòng)波形的上升沿,縮短IGBT的導(dǎo)通過程,減小IGBT離散性造成的導(dǎo)通不一致性,減小動(dòng)態(tài)均壓電路的壓力,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較慢,其波形如圖3所示。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)(1)響應(yīng)時(shí)間電容和中斷時(shí)間電容選擇功率管,特別是IGBT的導(dǎo)通需要幾個(gè)微秒,因此功率管導(dǎo)通后要延遲一段時(shí)間才能對(duì)其管壓降進(jìn)行監(jiān)測(cè),以確定IGBT是否過流,這個(gè)延遲即為“響應(yīng)時(shí)間”。響應(yīng)時(shí)間電容CME的作用是和內(nèi)部Ω上拉電阻構(gòu)成數(shù)微秒級(jí)的延時(shí)ta,CME的計(jì)算方法如下:在IGBT導(dǎo)通以后,通過IGD515EI內(nèi)部的檢測(cè)電路對(duì)19腳的檢測(cè)電壓(IGBT的導(dǎo)通壓降)進(jìn)行檢測(cè)。若導(dǎo)通壓降高于設(shè)定的門限,則認(rèn)為IGBT處于過流工作狀態(tài),由IGD515EI的35腳送出IGBT過流故障信號(hào),經(jīng)光纖送給控制電路,將驅(qū)動(dòng)信號(hào)***一小段時(shí)間。這段時(shí)間為截止時(shí)間tb。儀器測(cè)量時(shí)，將1000電阻與g極串聯(lián)。

    它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。5非對(duì)稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對(duì)稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時(shí)間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點(diǎn)，主要用于逆變器和整流器中。目前，國(guó)內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對(duì)稱晶閘管。本模塊長(zhǎng)寬高分別為：25cmx8.9cmx3.8cm。福建貿(mào)易模塊市價(jià)

它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。福建貿(mào)易模塊市價(jià)

    還有一個(gè)小問題：因?yàn)?010內(nèi)建死區(qū)**小為300NS，不能到0死區(qū)，所以，還原的饅頭波，可能會(huì)有150NS的收縮，造成合成的正弦波在過0點(diǎn)有一點(diǎn)交越失真，如果8010能做到有一檔是0死區(qū)，我這個(gè)問題就能完美解決了。經(jīng)和屹晶的許工聯(lián)系，他說可以做成0死區(qū)的，看來(lái)是第二版可以做得更完美了。驅(qū)動(dòng)板做好了，但我這里沒有大功率的高壓電源進(jìn)行帶功率的測(cè)試，只得寄給神八兄，讓他對(duì)這塊驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行一番***的測(cè)試，現(xiàn)在，這塊板還在路上。神八兄測(cè)試的過程和結(jié)果，可以跟在這個(gè)貼子上，經(jīng)享眾朋友。在母線電壓392的情況下，做短路試驗(yàn)，試了十多次，均可靠保護(hù)，沒有燒任何東西，帶載短路也試了幾次，保護(hù)靈敏可靠，他現(xiàn)在用的是150A的IGBT模塊。能輕松啟動(dòng)10根1000W的小太陽(yáng)燈管，神八兄**好測(cè)一下，你這種1000W的燈管，冷阻是多少歐，我這里有幾根，冷阻只有4R。還請(qǐng)神八兄再試一下啟動(dòng)感性負(fù)載，如果能啟動(dòng)常用的感性負(fù)載，如空調(diào)什么的，我覺得也差不多了，基本上達(dá)到了我們預(yù)先的設(shè)計(jì)目標(biāo)。這是試機(jī)現(xiàn)場(chǎng)照片：測(cè)試情況：1.功率已加載到12KW，開風(fēng)扇，模塊溫度不高?，F(xiàn)在已把驅(qū)動(dòng)板上的功率限止電路調(diào)到10KW。2.在母線電壓350V時(shí)，順利啟動(dòng)了11根1000W的小太陽(yáng)燈管。福建貿(mào)易模塊市價(jià)