將功率模塊支架3、功率模塊4一起以散熱體6上的定位柱裝配到導(dǎo)熱墊5上；再將pcb板2以功率模塊支架3上的定位柱裝配到功率模塊支架3上，功率模塊支架3的定位柱和散熱體6的定位柱為同軸，此時(shí)pcb板2和功率模塊4之間就形成了定位關(guān)系；后裝配螺釘，將功率模塊支架3、功率模塊4、導(dǎo)熱墊5一起固定在散熱體6上，在將功率模塊4的引腳焊接在pcb板2上，至此整個(gè)系統(tǒng)裝配完成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例的一種功率模塊支架及其功率模塊機(jī)構(gòu)，將多個(gè)該功率模塊集成到一起，進(jìn)行統(tǒng)一安裝和定位，實(shí)現(xiàn)模塊裝配的集成化，節(jié)省生產(chǎn)成本、提高了生產(chǎn)效率。上述以實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，以便于讀者更容易理解，但不本實(shí)用新型的實(shí)施方式于此，任何依本實(shí)用新型所做的技術(shù)延伸或再創(chuàng)造，均受本實(shí)用新型的保護(hù)。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。高度集成化，可幫助簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和減少組件數(shù)量。江蘇進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦

    該銀基金屬粒子是以化學(xué)合成法合成兩種以上粒徑的銀粒子并混合，由作為主銀粒子、表面由有機(jī)酸(如：庚酸或丙酸)保護(hù)，且粒徑小于100nm的奈米銀粒子，以及作為副銀粒子且粒徑為500～1000nm的微米銀粒子組成，而該奈米銀粒子與該微米銀粒子的重量比為9:1～1:1；5～10份有機(jī)銀離子化合物作為銀前驅(qū)物，主要含有長(zhǎng)碳鏈脂肪酸的官能基與銀離子，并可為2-乙基己酸銀(silver2-ethylhexanoate)；1-5份的有機(jī)添加物，可為乙基纖維素或甘油；30～40份一溶劑，可為松油醇(α-terpineol)；以及1-3份的第二溶劑，主要為于0～25℃仍為液態(tài)的三級(jí)醇類與各級(jí)酮醇類的有機(jī)溶劑，并可為醇(1-hydroxybutanone或acetol)、二醇(4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone或diacetonealcohol)、2-甲基-2-丁醇(2-methyl-2-butanol)、或2-丙醇(2-propanol)。上述非接觸式探針點(diǎn)膠設(shè)備1如圖2所示，其包含一容器11，可容納該銀基奈米漿料；一制動(dòng)裝置12，設(shè)于該容器11的一側(cè)，內(nèi)含步進(jìn)馬達(dá)，用以作為推壓的動(dòng)力源；一推進(jìn)活塞13，設(shè)于該容器11上并與該制動(dòng)裝置12電性連接，該推進(jìn)活塞13的一端為活塞頭131，另一端為連桿132，受該制動(dòng)裝置12驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生上、下運(yùn)動(dòng)；一探針14，設(shè)于該容器11底端；以及一組傳感器15。江蘇進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦相對(duì)于離散型元器件，價(jià)格較高。

    圖3和圖4分別為功率模塊機(jī)構(gòu)的功率模塊支架部分不同角度結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“一”、“第二”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此。

    公共柵極單元100與一發(fā)射極單元101和第二發(fā)射極單元201之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20的公共集電極單元200；接地區(qū)域30則設(shè)置于一發(fā)射極單元101內(nèi)的任意位置處；電流檢測(cè)區(qū)域20和接地區(qū)域30分別用于與檢測(cè)電阻40連接，以使檢測(cè)電阻40上產(chǎn)生電壓，并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域10的工作電流。具體地，工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20具有公共柵極單元100和公共集電極單元200，此外，電流檢測(cè)區(qū)域20還具有第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202，檢測(cè)電阻40則分別與第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域30連接。此時(shí)，在電流檢測(cè)過(guò)程中，工作區(qū)域10由公共柵極單元100提供驅(qū)動(dòng)，以使公共集電極單元200上的電流ic通過(guò)第二發(fā)射極單元201達(dá)到檢測(cè)電阻40，從而可以在檢測(cè)電阻40上產(chǎn)生測(cè)試電壓vs，進(jìn)而可以根據(jù)該測(cè)試電壓vs檢測(cè)工作區(qū)域10的工作電流。因此，在上述電流檢測(cè)過(guò)程中，電流檢測(cè)區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201相當(dāng)于沒(méi)有公共柵極單元100提供驅(qū)動(dòng)，即對(duì)于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流，電流檢測(cè)區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201只獲取空穴形成的電流作為檢測(cè)電流，從而避免了檢測(cè)電流受公共柵極單元100的電壓的影響。IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR。

    大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。為縮短過(guò)流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間，IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC)，使響應(yīng)時(shí)間小于100ns，從而有效抑制了電流和功率峰值，提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí)，其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tFO為1．8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長(zhǎng)一些)，此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)門極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位，門極驅(qū)動(dòng)通道開放?？梢钥闯觯骷陨懋a(chǎn)生的故障信號(hào)是非保持性的，如果tFO結(jié)束后故障源仍舊沒(méi)有排除，IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)的過(guò)程，反復(fù)動(dòng)作。過(guò)流、短路、過(guò)熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況，應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作，因此靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù)。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行，需要輔助的保護(hù)電路。智能功率模塊電路設(shè)計(jì)編輯驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口，良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要意義。IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①IGBT柵極耐壓一般在±20V左右，因此驅(qū)動(dòng)電路輸出端要給柵極加電壓保護(hù)，通常的做法是在柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻。在一些應(yīng)用場(chǎng)景下需要額外的維護(hù)和保養(yǎng)。江蘇進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦

(4)短路保護(hù)(SC):若負(fù)載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)故障導(dǎo)致短路，流過(guò)IGBT的電流值超過(guò)短路動(dòng)作電流。江蘇進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦

    igbt芯片的邊緣還設(shè)置有終端保護(hù)區(qū)域，其中，終端保護(hù)區(qū)域包括在n型耐壓漂移層上設(shè)置的多個(gè)p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū)；從而通過(guò)多個(gè)p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū)對(duì)igbt芯片進(jìn)行耐壓保護(hù)，在實(shí)際應(yīng)用中，由于p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū)的數(shù)量與igbt芯片的電壓等級(jí)有關(guān)，因此，關(guān)于p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū)的數(shù)量，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限制說(shuō)明。具體地，圖7示出了一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)圖，如圖7所示，一發(fā)射極單元金屬2為一發(fā)射極單元101在一表面中的設(shè)置位置，空穴收集區(qū)電極金屬3為電流檢測(cè)區(qū)域20的電極空穴收集區(qū)在一表面中的設(shè)置位置。當(dāng)改變電流檢測(cè)區(qū)域20的形狀時(shí)，如指狀或者梳妝時(shí)，igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)如圖8所示，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限制說(shuō)明。在圖7的基礎(chǔ)上，圖9為圖7中的空穴收集區(qū)電極金屬3按照a-a’方向的橫截圖，如圖9所示，電流檢測(cè)區(qū)域20的空穴收集區(qū)8與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，在每個(gè)溝槽內(nèi)填充有多晶硅5，此外，在兩個(gè)溝槽中間，還設(shè)置有p阱區(qū)7和n+源區(qū)6，以及，在溝槽與多晶硅5中間設(shè)置有氧化物4，以防多晶硅5發(fā)生氧化。此外，在一表面和第二表面之間，還設(shè)置有n型耐壓漂移層9和導(dǎo)電層，這里導(dǎo)電層包括p+區(qū)11，以及在p+區(qū)11下面設(shè)置有公共集電極金屬12。江蘇進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦