6)自適應(yīng)控制。采用組合自適應(yīng)控制將系統(tǒng)劃分成關(guān)節(jié)子系統(tǒng)和柔性子系統(tǒng)。利用參數(shù)線性化的方法設(shè)計(jì)自適應(yīng)控制規(guī)則來(lái)辨識(shí)柔性機(jī)械臂的不確定性參數(shù)。對(duì)具有非線性和參數(shù)不確定性的柔性機(jī)械臂進(jìn)行了**控制器的設(shè)計(jì)?？刂破鞯脑O(shè)計(jì)是依據(jù)Lyapunov方法的魯棒和自適應(yīng)控制設(shè)計(jì)。通過(guò)狀態(tài)轉(zhuǎn)換將系統(tǒng)分成兩個(gè)子系統(tǒng)。用自適應(yīng)控制和魯棒控制分別對(duì)兩個(gè)子系統(tǒng)進(jìn)行控制。7)PID控制。PID控制器作為很受歡迎和**廣泛應(yīng)用的控制器,由于其簡(jiǎn)單、有效、實(shí)用,被普遍地用于剛性機(jī)械臂控制,常通過(guò)調(diào)整控制器增益構(gòu)成自校正PID控制器或與其它控制方法結(jié)合構(gòu)成復(fù)合控制系統(tǒng)以改善PID控制器性能。8)變結(jié)構(gòu)控制。變結(jié)構(gòu)控制系統(tǒng)是一種不連續(xù)的反饋控制系統(tǒng),其中滑?？刂剖?*普遍的變結(jié)構(gòu)控制。其特點(diǎn);在切換面上,具有所謂的滑動(dòng)方式,在滑動(dòng)方式中系統(tǒng)對(duì)參數(shù)變化和擾動(dòng)保持不敏感,同時(shí),它的軌跡位于切換面上,滑動(dòng)現(xiàn)象并不依賴于系統(tǒng)參數(shù),具有穩(wěn)定的性質(zhì)。變結(jié)構(gòu)控制器的設(shè)計(jì),不需要機(jī)械臂精確的動(dòng)態(tài)模型,模型參數(shù)的邊界就足以構(gòu)造一個(gè)控制器。 科學(xué)家已經(jīng)研制出了橡膠機(jī)器手臂，可以抓起螞蟻而不是捏死。深圳庫(kù)存晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)位

整個(gè)蛙腿型晶圓搬運(yùn)機(jī)械手共由3個(gè)電機(jī)實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)控制。2臺(tái)直驅(qū)電機(jī)負(fù)責(zé)連接晶圓托盤(pán)連桿的同步控制，1臺(tái)直流電機(jī)負(fù)責(zé)整個(gè)機(jī)械手的上升與下降控制。雖然軸數(shù)較少，但對(duì)控制的精度、平穩(wěn)性和可靠性要求極高。整個(gè)控制架構(gòu)基于CANopen或者EtherCAT。 針對(duì)客戶的需求，Copley給出了性價(jià)比比較好的解決方案-- Accelnet Plus Module驅(qū)動(dòng)器。Dual axis module同時(shí)驅(qū)動(dòng)2臺(tái)直驅(qū)電機(jī)，Single axis module驅(qū)動(dòng)1臺(tái)升降直流電機(jī)。雙軸模塊式驅(qū)動(dòng)器使系統(tǒng)成本比較好化高精度時(shí)間戳保證PVT控制的比較好性能多通道**I/O高精度位置觸發(fā)且多點(diǎn)位置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)客制化編碼器接口協(xié)議-Gurley Virtual Absolute多點(diǎn)增益切換小體積可直接安裝于機(jī)械手底座內(nèi)部專業(yè)的技術(shù)支持汕尾原裝晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂工廠合理選擇機(jī)械手的坐標(biāo)形式。直角坐標(biāo)式機(jī)械手的位置精度較高，其結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)都比較簡(jiǎn)單、誤差也小。

    區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長(zhǎng)；后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長(zhǎng)的不同捏？這是由于硅的熔點(diǎn)高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，所以難以找到適合的器皿來(lái)盛方，自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長(zhǎng)上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于：區(qū)熔法一般不使用坩鍋，引入的雜質(zhì)更少，生長(zhǎng)的材料雜質(zhì)含量也就更少?？偠灾?，單晶硅棒是圓柱形的，使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個(gè)樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎？Bingo，圖左的尖尖是籽晶，圖右的尖尖是晶棒長(zhǎng)到***，從熔融態(tài)里出來(lái)后，由于復(fù)雜的流體力學(xué)原理，以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導(dǎo)致的。

接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng)，**常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去。因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。操作機(jī)又定義為“是一種機(jī)器，其機(jī)構(gòu)通常由一系列相互鉸接或相對(duì)滑動(dòng)的構(gòu)件所組成。

電鍍：

到這一步，晶圓基本上就完成了，現(xiàn)在要在晶圓上鍍一層硫酸銅，銅離子會(huì)從正極走向負(fù)極。

拋光：

然后將Wafer進(jìn)行打磨，到這一步晶圓就真正的完成了。

切割：

對(duì)晶圓進(jìn)行切割，值得一提的是晶圓十分易碎，因此對(duì)切割的工藝要求也是非常高的。

測(cè)試：

測(cè)試分為三大類：功能測(cè)試、性能測(cè)試、抗老化測(cè)試。大致測(cè)試模式如下:接觸測(cè)試、功耗測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、輸出電平測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、模擬信號(hào)參數(shù)測(cè)試等等。全部測(cè)試都通過(guò)的，就是正片；部分測(cè)試未通過(guò)，但正常使用無(wú)礙，這是白片；未開(kāi)始測(cè)試，就發(fā)現(xiàn)晶圓具有瑕疵的，這是黑片。

機(jī)械手臂是機(jī)械人技術(shù)領(lǐng)域中得到*****實(shí)際應(yīng)用的自動(dòng)化機(jī)械裝置.汕尾原裝晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂工廠

其特征在于：所述機(jī)械臂包括內(nèi)部具有真空腔體的鋁合金平板.深圳庫(kù)存晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)位

一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機(jī)械手，該真空吸附機(jī)械手包括：手臂；固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺(tái)；設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺(tái)內(nèi)的真空氣道；所述吸附絕緣凸臺(tái)用于吸附待傳送晶圓的背面，所述吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度，故利用真空吸附機(jī)械手將晶圓傳送至所需位置之后，晶圓的背面中與真空吸附機(jī)械手接觸的位置不會(huì)形成印記，提高了晶圓的合格率。通用性強(qiáng)，能適應(yīng)多種作業(yè)；工藝性好，便于維修調(diào)整。深圳庫(kù)存晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)位

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