伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。目前,主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：穩(wěn)定性好，精度高。浙江收發(fā)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)的測試設(shè)備主要是包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計，通過光矩陣的光路切換，每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環(huán)路。光源出光包含兩個設(shè)備，調(diào)光過程使用ASE寬光源，以保證光路通過光芯片后總是出光，ASE光源輸出端接入1*N路耦合器；測試過程使用可調(diào)激光器，以掃描特定功率及特定波長，激光器出光后連接偏振控制器輸入端，以得到特定偏振態(tài)下光信號；偏振控制器輸出端接入1個N*1路光開光；切光過程通過輸入端光矩陣，包含N個2*1光開關(guān)，以得到特定光源。輸入光進(jìn)入光芯片后由芯片輸出端輸出進(jìn)入輸出端光矩陣，包含N個2*1路光開關(guān)，用于切換輸出到多通道光功率計或者PD光電二極管，分別對應(yīng)測試過程與耦合過程。浙江收發(fā)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：具有在單周期內(nèi)操作的多個硬件地址產(chǎn)生器。

在硅光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問題是硅光子芯片實用化過程中的關(guān)鍵問題，芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)是將硅光芯片的輸入輸出端硅光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)硅光，并依靠對輸出硅光的硅光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個測試站。具體的，所有的測試設(shè)備通過硅光纖，設(shè)備連接線等連接成一個測試站。例如將VOA硅光芯片的發(fā)射端通過硅光纖連接到硅光功率計，使用硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)就可以測試硅光芯片的發(fā)端硅光功率。將硅光芯片的發(fā)射端通過硅光線連接到硅光譜儀，就可以測試硅光芯片的硅光譜等。

基于設(shè)計版圖對硅光芯片進(jìn)行光耦合測試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇數(shù)據(jù),驅(qū)動左側(cè)光纖對準(zhǔn)第1測試點,獲取與第1測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第1選中信息,驅(qū)動右側(cè)光纖對準(zhǔn)第二測試點,獲取與第二測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測試點的坐標(biāo),以驅(qū)動左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測試點,進(jìn)行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)已被應(yīng)用于人類社會的各個領(lǐng)域。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的，我們的客戶非常關(guān)注此工位測試的嚴(yán)謹(jǐn)性，硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要控制“信號弱”，“易掉話”，“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”，“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環(huán)境對設(shè)備EMC干擾的方法與實際使用環(huán)境存在較大差異，所以“信號類”返修量一直占有較大的比例。可見，硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是一個需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)年P(guān)鍵崗位，在利用金機調(diào)好衰減（即線損）之后，功率無法通過的，必須進(jìn)行維修，而不能隨意的更改線損使其通過測試，因為比較可能此類機型在開機界面顯示滿格信號而在使用過程中出現(xiàn)“掉話”的現(xiàn)象，給設(shè)備質(zhì)量和信譽帶來負(fù)面影響。以上是整機耦合的原理和測試存在的意義，也就是設(shè)備主板在FT測試之后，還要進(jìn)行組裝硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的原因。下面再說一說硅光芯片耦合測試系統(tǒng)過程中常見的異常問題和處理思路。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：高速性能。浙江收發(fā)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：片內(nèi)具有快速RAM，通常可通過單獨的數(shù)據(jù)總線在兩塊中同時訪問。浙江收發(fā)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢

我們分析了一種可以有效消除偏振相關(guān)性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)該方案中的兩種關(guān)鍵元件。通過理論分析以及實驗驗證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實驗中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對一個基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術(shù)實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結(jié)果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。浙江收發(fā)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢