滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 淄博正高電氣有限公司和客戶攜手誠信合作，共創(chuàng)輝煌！云南大功率可控硅模塊品牌

可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗。為了確保器件長期可靠地工作，設(shè)計(jì)時(shí)散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等?？紤]散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫浙江快恢復(fù)可控硅模塊價(jià)格淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品**國內(nèi)。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場(chǎng)合，如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動(dòng)。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護(hù)功能。

可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門**的學(xué)科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。

選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。

  所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。

  可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇，希望對(duì)您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。

雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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實(shí)際上，可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測(cè)量，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結(jié)溫，而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關(guān)可以很容易地測(cè)量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置）。從溫控天關(guān)測(cè)量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個(gè)或兩個(gè)溫度控制電路，分別控制風(fēng)機(jī)的開啟或主回路的通斷（停機(jī)），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開關(guān)測(cè)量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境、空氣對(duì)流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實(shí)際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實(shí)際情況和經(jīng)驗(yàn)決定控制的溫度。 云南大功率可控硅模塊品牌

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