如何提高打包帶生產(chǎn)線的產(chǎn)能性能?
打包帶生產(chǎn)線產(chǎn)能性能與產(chǎn)品質(zhì)量之間的關(guān)系是怎樣的?
不同類型打包帶生產(chǎn)線(如 PP 與 PET)的產(chǎn)能有何差異?
哪些因素會對打包帶生產(chǎn)線的產(chǎn)能產(chǎn)生影響?
打包帶生產(chǎn)線的產(chǎn)能一般如何衡量?
塑鋼打包帶生產(chǎn)中的收卷工藝對產(chǎn)品質(zhì)量有什么影響?其原理如何?
塑鋼打包帶生產(chǎn)中的冷卻環(huán)節(jié)有什么重要意義?其原理是怎樣的?
在塑鋼打包帶生產(chǎn)中,拉伸工藝是如何影響其性能的?原理是什么?
塑鋼打包帶的擠出工藝在生產(chǎn)原理中起到什么關(guān)鍵作用?
塑鋼打包帶是由哪些主要材料構(gòu)成的?其在生產(chǎn)原理中如何相互作用
電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù):電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件,如晶閘管、晶體管、場效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中,現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此,針對上述問題,有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊、門極壓接式組件、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板,所述壓塊設(shè)置于所述門極壓接式組件上,并通過所述門極壓接式組件對所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門極壓接式組件、第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片,所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門極壓接式組件上。正高電氣迎接挑戰(zhàn),推陳出新,與廣大客戶攜手并進(jìn),共創(chuàng)輝煌!河南電磁吸盤穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊
紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發(fā)信號,表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時,先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是。不需要具體計算IAT、IG之值,只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯(1)在檢查大功率GTO器件時,建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。江蘇晶閘管智能調(diào)壓模塊價格正高電氣講誠信,重信譽(yù),多面整合市場推廣。
晶閘管模塊產(chǎn)品特點:
1、芯片與基板電絕緣,電壓2500V;
2、 國際標(biāo)準(zhǔn)封裝;
3、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和動力循環(huán)能力;
4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;
5、200A以下為強(qiáng)制風(fēng)冷,300A以上模塊,可以選擇風(fēng)冷或水冷。
6、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。
典型應(yīng)用:
直流電源、交流開關(guān)、焊接設(shè)備、電機(jī)控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點開關(guān)、電機(jī)軟起動、蓄電池充放電、靜態(tài)無功功率補(bǔ)償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。
漏電流:指加一半標(biāo)稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,過電壓能力強(qiáng);平時漏電流小,放電后不會有續(xù)流,元件的標(biāo)稱電壓等級多,便于用戶選擇;伏安特性是對稱的,可用于交、直流或正負(fù)浪涌;因此用途較廣。2、過電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時,熱量來不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高、過低或缺相,負(fù)載過載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞;所以不能用來保護(hù)晶閘管。正高電氣公司依托便利的區(qū)位和人才優(yōu)勢。
以提高測試電壓和測試電流,使GTO可靠地導(dǎo)通。(2)要準(zhǔn)確測量GTO的關(guān)斷增益βoff,必須有**測試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測。由于測試條件不同,測量結(jié)果*供參考,或作為相對比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時間*幾微秒,工作頻率達(dá)幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中,一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,不僅使用方便,而且能簡化電路設(shè)計。逆導(dǎo)晶閘管的符號、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見圖2。由圖顯見,逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對稱性,正向特性與普通晶閘管SCR相同,而反向特性與硅整流管的正向特性相同(*坐標(biāo)位置不同)。逆導(dǎo)晶閘管的典型產(chǎn)品有美國無線電公司(RCA)生產(chǎn)的S3900MF,其外形見圖1(c)。它采用TO-220封裝,三個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下:斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM:>。正高電氣一起不斷創(chuàng)新、追求共贏、共享全新市場的無限商機(jī)。河南穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊配件
正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進(jìn)行技術(shù)改造。河南電磁吸盤穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊
由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時,內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。河南電磁吸盤穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊
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