[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測單結(jié)晶體管時(shí)，萬用表置于“R×1k”擋。選擇正高電氣，就是選擇質(zhì)量、真誠和未來。山東MTDC55晶閘管智能模塊供應(yīng)商

    軟啟動器可分為有級和無極兩類，前者的調(diào)節(jié)是分檔的；后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類，它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機(jī)定子回路，通過串入有限流作用的電力電子器件實(shí)現(xiàn)軟起動，叫做降壓或者限流軟起動，它是軟起動中的一個(gè)重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動，以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調(diào)速器也是一種軟起動裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時(shí)保持高的起動轉(zhuǎn)矩。價(jià)格貴是制約其作為軟起動應(yīng)用的重要因素，它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導(dǎo)電的本質(zhì)是離子導(dǎo)電。它的阻值正比相對的二塊電極板的距離，反比于電解液的電導(dǎo)率，極板距離和電導(dǎo)率都便于控制；液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點(diǎn)（阻值可以無級控制和熱容量大），恰恰是軟起動所需要的。液阻軟起動也有缺點(diǎn)：一是液阻箱容積大，其根源在于阻性限流，減小容積引起溫升加大。一次軟起動后電解液通常會有10-30攝氏度的溫升，使軟啟動的重復(fù)性差。二是移動極板需要有一套伺服機(jī)構(gòu)，它的移動速度較慢。山東MTDC55晶閘管智能模塊供應(yīng)商正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

    電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級。對于電動機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產(chǎn)生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產(chǎn)品的問世是當(dāng)今電力電子器件長足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發(fā)軟起動行業(yè)的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優(yōu)于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動難以望其項(xiàng)背的。正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。

    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值。正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。濟(jì)南MTAC480晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

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    水冷裝置在作此項(xiàng)調(diào)試時(shí)，必須通水冷卻。當(dāng)調(diào)試場地的電源供不出裝置的額定電流時(shí)，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)進(jìn)行。但是，應(yīng)先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測得比較高它激頻率，另一方面是價(jià)格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級線連接是否正確，逆變未級上的LED亮度是否正常，不亮則說明逆變末級的E和C接線端子接反了；再把主控板上CON3-5對外的連線解掉，看熄滅的LED逆變末級是否處在逆變橋的對角線位置。把主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋到底，調(diào)節(jié)控制板上的W6微調(diào)電位器，使比較高它激頻率高于槽路諧振頻率的，W3、W4微調(diào)電位器旋在中間位置。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針稍微旋大，這時(shí)它激頻率開始從高往底掃描（從頻率表中可以看出）。山東MTDC55晶閘管智能模塊供應(yīng)商

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